一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器

发布时间：2023-02-17 04:48:57 来源：文档文库

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（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（21）申请号CN202010290064.5（22）申请日2020.04.14（71）申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所地址200050上海市长宁区长宁路865号（10）申请公布号CN111575668A（43）申请公布日2020.08.25（72）发明人高波;陈建国;吕越;黄浩;游天桂;欧欣;王镇（74）专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人郝传鑫（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器（57）摘要本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明
在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。法律状态法律状态公告日2020-08-25法律状态信息公开法律状态公开
权利要求说明书一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器的权利要求说明书内容是....请下载后查看

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