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氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
发布时间:2023-02-18 08:30:42 来源:
文档文库
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(
19
)中华人民共和国国家知识产权局
>
>
>
>
(
12
)发明专利申请
(
21
)申请号
CN201911174467.7
(
22
)申请日
2019.11.26
(
71
)申请人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址
200050
上海市长宁区长宁路
865
号
(
10
)申请公布号
CN111312852A
>
>
>
>
(
43
)申请公布日
2020.06.19
(
72
)发明人
欧欣
;
徐文慧
;
游天桂
;
沈正皓
(
74
)专利代理机构
上海光华专利事务所
(
普通合伙
代理人
余明伟
(
51
>
>
>
>
)
Int.CI
权利要求说明书
说明书
幅图
(
54
)发明名称
氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
(
57
)摘要
本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲
光电探测器及制备方法,通过将氧化镓单晶晶片
与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合,可成功转移
氧化镓薄膜,键合技术成熟,且通过将绝缘体上
硅中的顶层硅氧化,能够有效解决漏电问题,可
制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构,提高
基于氧化镓半导体结构制备的器件性能,重要的
是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上,使得器件不仅
能与
CMOS
工艺兼容,而且可以实现量产,对于基
于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展
意义重大。
法律状态
法律状态公告日
2020-06-19
2020-06-19
2020-07-14
法律状态信息
公开
公开
实质审查的生效
法律状态
公开
公开
实质审查的生效
权利要求说明书
氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法的权利要求说明书内容是
....
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本文来源:
https://www.2haoxitong.net/k/doc/77ff77d3e3bd960590c69ec3d5bbfd0a7856d540.html
《氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法.doc》
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