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在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法

发布时间：2020-12-09 来源：文档文库

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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201811549184.1 （22）申请日 2018.12.18
（71）申请人中国电子科技集团公司第十三研究所

地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

（10）申请公布号 CN109443600A
（43）申请公布日 2019.03.08
（72）发明人许晓青;刘岩;梁法国;李锁印;翟玉卫;吴爱华;刘晨;孙静;韩志国;赵琳（74）专利代理机构石家庄国为知识产权事务所

代理人赵宝琴
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称

在片薄膜铂电阻温度传感器的标定方法
（57）摘要

本发明提供了一种在片薄膜铂电阻温度传
感器的标定方法，属于半导体测量技术领域，基于高低温探针台，步骤为：将片薄膜铂电阻温度传感器放置于控温平台；使每两根直流探针压于一个PAD压点；将四根直流探针分别连接数字多用表的两个Hi插孔和两个Lo插孔；调整高低温探针台的设定温度，通过数字多用表读取电阻值；根据公式计算电阻温度系数，再利用公式，即可计算实际温度。本发明提供的在片薄膜铂电

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/7e146ab7ce1755270722192e453610661fd95acc.html