首页 > 氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法

氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法

发布时间：2023-12-14 13:21:23 来源：文档文库

小中大

字号：

手机查看

（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请

（21）申请号CN201911175985.0（22）申请日2019.11.26
（71）申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

（10）申请公布号CN110854062A
（43）申请公布日2020.02.28
（72）发明人欧欣;徐文慧;游天桂;沈正皓
（74）专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙

代理人余明伟
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称

氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法
（57）摘要

本发明提供一种氧化镓半导体结构、
MOSFET器件及制备方法，其中，氧化镓半导体结构包括硅衬底、介电层及氧化镓薄膜，通过具有高介电常数的介电层，将氧化镓单晶晶片与具有高热导率的硅衬底键合，采用该方法键合技术成熟，且介电层可阻挡电子向衬底迁移，能够有效解决高温环境下器件性能下降的问题，从而可制备具有高导热性、耐击穿电压高及高温下性能稳定的氧化镓半导体结构。本发明解决了氧化镓同
质衬底导热性差、氧化镓与硅衬底耐击穿电压低及氧化镓与氧化硅衬底键合技术不成熟等问题，极大的提高了氧化镓器件的性能和设计灵活性，且采用业界最重要的硅衬底，对氧化镓器件的快速发展意义重大。
法律状态
法律状态公告日
2020-02-282020-02-282020-02-282020-03-242020-03-242020-08-11
法律状态信息
公开公开公开
实质审查的生效实质审查的生效授权
法律状态
公开公开公开
实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书
氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书
氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法的说明书内容是....请下载后查看

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/9735df4a750bf78a6529647d27284b73f2423693.html