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正在进行安全检测...

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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201210004325.8 （22）申请日 2012.01.09 （71）申请人复旦大学

地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

（10）申请公布号 CN102543690A
（43）申请公布日 2012.07.04
（72）发明人于浩;蒋玉龙;茹国平;屈新萍;李炳宗;张卫（74）专利代理机构上海正旦专利代理有限公司

代理人陆飞
（51）Int.CI
H01L21/04;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称

通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法
（57）摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种
通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行
局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。
法律状态
法律状态公告日2012-07-04 2012-11-21 2015-03-18
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书
通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书
通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法的说明书内容是....请下载后查看

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/ee7ca4bbea7101f69e3143323968011ca300f7a4.html

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