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一种光刻机曝光方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书

（21）申请号CN201110391163.3（22）申请日2011.11.30
（71）申请人上海华力微电子有限公司
地址201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

（10）申请公布号CN102411266B
（43）申请公布日2014.03.19
（72）发明人朱骏;陈力钧
（74）专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司
代理人张浴月
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
一种光刻机曝光方法
（57）摘要

本发明公开了一种光刻机曝光方法，

包括：步骤101、将硅片传送至硅片载片台；步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光。本发明提供的方法，确保了高温的芯片能够冷却而不会将形变传递给邻近的芯片，能够获得更佳的工艺套准进度，并且能够在光刻机连续工作的过程中实现高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均

本文来源：https://www.2haoxitong.net/k/doc/321879c4a65177232f60ddccda38376baf1fe0b1.html